Hledej
Zobraz:
Univerzity
Kategorie
Rozšířené vyhledávání
12 659 projektů
0 nových
Bipolární tranzistory
«»
| Přípona |
Typ přednášky |
Stažené 0 x |
| Velikost 0,5 MB |
Jazyk český |
ID projektu 3183 |
| Poslední úprava 22.04.2014 |
Zobrazeno 1 136 x |
Autor: josef.trousil |
Sdílej na Facebooku |
||
| Detaily projektu | ||
- Cena:
2 Kreditů - kvalita:
80,2% -
Stáhni
- Přidej na srovnání
- Univerzita:Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava
- Fakulta:Fakulta elektrotechniky a informatiky
- Kategorie:Technika » Elektrotechnika
- Předmět:Elektrické obvody
- Studijní obor:-
- Ročník:-
- Formát:PDF dokument (.pdf)
- Rozsah A4:56 stran
2.3 Bipolární tranzistory
· Jsou dva typy bipolárního tranzistoru - PNP a NPN
· Tranzistor je správně zapojen když je
- přechod báze (B) - emitor (E) otevřen
- přechod báze (B) - kolektor (C) uzavřen
2.3.1 Tranzistorový jev
Tranzistor NPN se skládá ze dvou oblastí typu N, mezi které je „vložena“ oblast typu
P (báze - B) - viz obr. 2.20. Báze musí být tenká.
Při poměrech uvedených na obr. 2.20 (aktivní režim tranzistoru) je přechod B (báze) -
E (emitor) polarizován napětím UBE ( > 0) v propustném směru. Přechod B - C (kolektor) je
B
Obr. 2.20: Kvalitativní zobrazení struktury tranzistoru NPN:
a) zapojení se společnou bází - SB (dohodnutý směr proudu má
směr proti pohybu elektronů - historická konvence)
b) symbol tranzistoru NPN
· Jsou dva typy bipolárního tranzistoru - PNP a NPN
· Tranzistor je správně zapojen když je
- přechod báze (B) - emitor (E) otevřen
- přechod báze (B) - kolektor (C) uzavřen
2.3.1 Tranzistorový jev
Tranzistor NPN se skládá ze dvou oblastí typu N, mezi které je „vložena“ oblast typu
P (báze - B) - viz obr. 2.20. Báze musí být tenká.
Při poměrech uvedených na obr. 2.20 (aktivní režim tranzistoru) je přechod B (báze) -
E (emitor) polarizován napětím UBE ( > 0) v propustném směru. Přechod B - C (kolektor) je
B
Obr. 2.20: Kvalitativní zobrazení struktury tranzistoru NPN:
a) zapojení se společnou bází - SB (dohodnutý směr proudu má
směr proti pohybu elektronů - historická konvence)
b) symbol tranzistoru NPN
Klíčová slova:
tranzistor
signálové změny
mezní parametry
pracovní bod
společný emitor
ampérvoltové charakteristiky
Obsah:
- 2.3 Bipolární tranzistory
2.3.1 Tranzistorový jev
2.3.2 Popis a model tranzistoru (stejnosměrný)
2.3.3 Chování tranzistoru při malých (signálových) změnách ube, ib, ie - signálový model tranzistoru
2.3.4 Tranzistor PNP a společný signálový model pro PNP a NPN tranzistor
2.3.5 Mezní parametry bipolárních tranzistorů
2.3.6 Nastavení pracovního bodu tranzistoru (princip)
2.4 Základní zapojení s jedním bipolárním tranzistorem
2.4.1 Zapojení se společným emitorem - SE
2.4.2 Zapojení s externím emitorovým odporem
2.4.3 Zesílení v zapojení SE jako funkce napájecího napětí
2.4.4 Zapojení se společným kolektorem - emitorový sledovač
2.4.5 Vliv výstupního odporu zdroje signálu v zapojení SC
2.4.6 Zesílení v zapojení SC jako funkce napájecího napětí
2.4.7 Zapojení se společnou bází
2.5 Unipolární tranzistor - tranzistor řízený elektrickým polem (FET - Field Effect Tranzistor)
2.5.1 Úvod
2.5.2 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů JFET
2.5.3 Chování tranzistoru při » 0
2.5.4 Chování tranzistoru při » 0
2.5.5 Chování tranzistoru při £ 0 GS U a 〉 0
2.5.6 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů s indukovaným kanálem (EMOSFET, enhancement mode)
2.5.7 Konstrukce a princip tranzistoru se zabudovaným kanálem (DMOSFET, depletion mode)
2.5.8 Ampérvoltové charakteristiky unipolárních tranzistorů
2.5.8.1 (N)JFETy
2.5.8.2 DMOSFETy (s kanálem typu N)
2.5.8.3 EMOSFETy (s kanálem typu N)
2.5.8.4 Earlyho napětí
2.5.9 Chování tranzistorů FET pro malé signálové změny, signálový model
2.5.10 Mezní parametry unipolárních tranzistorů
2.5.11 Nastavení pracovního bodu unipolárních tranzistorů