Tranzistor IGBT

Struktura podobná VDMOS, ale funkce je do značné míry odlišná.

Výkonová část systému je PNP tranzistor, bázi BJT řídí tranzistor MOS, jehož hradlo je řídicí elektrodou systému.

SPÍNACÍ VLASTNOSTI IGBT

Spínání IGBT plně odpovídá spínacímu procesu BJT. který je ovládán MOSFET. Zobrazení odpovídá spínání při buzení IGBT ze zdroje signálu IN, který má nezanedbatelný vnitřní odpor. Po nástupní hraně signálu EM teče proud do hradla a dochází během intervalu 1 k nárůstu napětí UGE . Po dosažení prahového napětí hradla teče během intervalu 2 proud drainem, který teče jako Ic , ale neprotéká zatím proud kolektorem BJT(doba zpoždění). Během intervalu 3 se otvírá BJT. klesá UCE a to se projevuje nárůstem Millerovské kapacity a zastavením nárůstu UGE. Na začátku intervalu 4 již se zastaví pokles UCE, vymizí Millerovská kapacita, dokonči se nabíjení hradla a ukončí se spínání.