Hledej Zobraz: Univerzity Kategorie Rozšířené vyhledávání

12 659   projektů
0 nových

Vypracované otázky ke zkoušce z předmětu Digitální obvody a mikroprocesory

«»
Přípona
.doc
Typ
vypracované otázky
Stažené
0 x
Velikost
0,1 MB
Jazyk
český
ID projektu
6400
Poslední úprava
10.08.2015
Zobrazeno
1 071 x
Autor:
jiri.hosko
Facebook icon Sdílej na Facebooku
Detaily projektu
Popis:
1. Popište způsob ošetření nepoužitých vstupů a logických obvodů se vstupní a) součinovou a b) součtovou fcí a typicky pro obvody c) TTL a d) CMOS.

Hradlo TTL NAND má proudovou spotřebu asi 1 mA při výstupní úrovni H a spotřebu asi 3 mA při výstupní úrovni L je vhodné vstupy nevyužitých obvodů NAND připojit na zem (ušetříme 2 mA na každý logický člen). U nevyužitých logických obvodů CMOS je alespoň jeden z řetězce spínacích tranzistorů zahrazen - obvodem teče jen nepatrný klidový proud a logické členy (pokud pracují) ve.
Ošetření nevyužitých vstupů
Platí zásada neponechávat nevyužité vstupy logických obvodů TTL nepřipojené připojíme nevyužitý vstup na zdroj napětí definované úrovně L nebo H tak, aby nebyla narušena logická funkce ošetřovaného obvodu.U standardních obvodů TTL se vstup vyhodnocuje jako by byl nastaven na úroveň H, ale má v tomto případě velmi nízkou odolnost proti rušení. U požadavků na rychlost odezvy těchto obvodů se může projevit zpoždění způsobené nabíjecím procesem, vázaným na parazitní kapacitu nepřipojeného vstupu (u obvodů TTL 1 ns na každý nepřipojený vstup).
Obvody CMOS - vysoká vstupní impedance (typicky 1012 Ω) do nepřipojených vstupů se snadno indukuje rušivý signál. Nevyužité vstupy se připojují na UCC, na společný vodič nebo na použitý vstup, jinak výstup může mít nedefinovanou úroveň nebo se několikanásobně zvýší proudový odběr z napájecího zdroje.

Klíčová slova:

logické obvody

CMOS

součin

NAND pamětě

von Neumanova koncepce

harvardská koncepce



Obsah:
  • 1. Popište způsob ošetření nepoužitých vstupů a logických obvodů se vstupní a) součinovou a b) součtovou fcí a typicky pro obvody c) TTL a d) CMOS.
    2. Nakreslete alespoň dvě zapojení pro ošetření obvodů mechanických kontaktů při buzení logických obvodů
    3. Fci zakreslete do K.M. pro 4 proměnné d,c,b,a a zjednodušte ji. Potom nakreslete realizační zapojení s obvody NAND.
    4. Lze logickými obvody ovládat výkonové zátěže s induktivním charakterem? Uveďte schéma včetně ochrany proti přechodovým dějům.
    5. Uveďte příklady jak lze s využitím pasivního integračního obvodu zkracovat pravoúhlé impulsy.
    6. Vysvětlete De Morganova pravidla a naznačte jejich použití.
    7. Navrhněte MKO, který bude generovat impuls do úrovně H s dobou trvání 100ms spouštěný vzestupnou i sestupnou hranou.
    8. Rozdíl mezi podprogramem a makrem, odskok do podprogramu a podprogramu.
    9. Popište charakteristické rysy a nakreslete schéma von Neumanovy koncepce číslicového počítače. Popište roli programového čítače ve struktuře procesoru. Jak procesor pozná a) kde je uložen první byte první instrukce programu b) zda právě načtený byte představuje kód instrukce, či jinou informaci nutnou k provedení
    10. Popište charakteristické rysy a nakreslete schéma Harvardské koncepce číslicového počítače. Definujte rozsah adres paměti programu adresované 12 bity a paměti dat adresované 8 bity.
    11. Zásobník hydraulické tekutiny musí udržovat tlak kapaliny mezi pmin a pmax. Zásobník obsahuje 2 relé a pojistný ventil. Při poklesu tlaku v zásobníku pod hodnotu p < pmin se sepnou kontakty podtlakového relé, naopak při p > pmax se sepne přetlakové relé. Je- li v akumulátoru podtlak p < pmin sepne se stykač čerpadla pro zvýšení tlaku p a rozpojí se po dosažení pmax. Stykač má ještě pomocné dva volné spínací kontakty, které se sepnou současně při připojení motoru čerpadla k napájecímu napětí. Navrhněte logický obvod, který indikuje pomocí červené LED chybou fci tlaku a) při podtlaku p < pmin čerpadlo nečerpá nebo b) čerpadlo čerpá přestože byl překročen limit tlaku p > pmax. Při stavu b) trvajícím déle než 10 s je třeba rozpojit další ochranný stykač motoru čerpadla připojením uzemněného elektromagnetu pomocného stykače (24V a SS I = 100mA).